半导体器件知多少（19）－－－共振隧道场效应晶体管

    “共振隧穿道场效应晶体管”（RTFET）是一种与共振隧道二极管区别不大的相近器件，它由台面形式的共振隧道二极管构成，其关键势垒区和阱由栅极包围。栅极的功能是控制耗尽宽度，以便改变二极管的实际截面面积。通常，栅极是用金属接触构成（肖特基二极管），但是也能使用p-n结。达到第一次正常工作状态，漏-源共振隧道电流正比于阱的未耗尽面积。但是，如果把尺寸尽可能缩小，便能观察到另外的重要现象。例如，如果实际面积小到足可以与耗尽宽度比拟的尺寸，那么阱电位就能提高，这样将导致更高的峰值电压产生。另外，栅极影响能够引起阱的电位不均匀，而且这样会使NDR消失。另外的效应是PVCR的减小，这归因于肖特基势垒栅极情况下由栅极漏电流增加了谷电流的缘故。此外，两个侧边的栅极结构能把二维系统改变成为一维结构（量子线），而把四边的栅极改变成零维（量子点）。在后一种情况下，单电子充电效应可能产生。